高通前不久曝光了骁龙835，号称将用上三星最新的10nm FinFET工艺，可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上，同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。

最新QC4.0技术曝光

然并卵，如今骁龙820性能都有点过剩了，再强的性能除了跑分高点还有啥用？所以，智趣狗今天就带着大家看看隐藏在骁龙835背后的快速充电技术：QC4.0。

按照高通的描述，QC4.0相较时下主流的QC3.0，新增了一项名为Dual Charge的技术，使充电速度可提升20%，效率则能提升30%。此外，QC4.0还对“INOV”（最佳电压智能协商，Intelligent Negotiation for Optimum Voltage，最早出现在QC3.0技术中）算法进行了优化，能更准确地测量电压、电流和温度的同时，保护电池、系统、线缆和连接器。防止电池过度充电，并在每个充电周期调节电流。

至于QC4.0充电有多快？高通的答案是在大约15分钟或更短时间内，充入高达50%的电池电量。请注意，这里高通并没有说明电池容量，如今主流的快充技术在满血充电的情况下，15分钟基本都能将2000mAh电池充到50%，这一点还需要后续观察。

USB-PD要大一统？

需要注意的是，高通QC4.0特别加入了对USB Type-C和USB-PD的支持。有意思的是，华为从Mate 9开始引入的SuperCharge超级快充技术同时也兼容USB-PD。大家不觉得奇怪吗？

USB PD很厉害哦，最大支持100W充电，哪怕给游戏本供电都毫无问题

其实这个答案很简单，。

所以，哪怕手机厂商或芯片厂依旧想推广自家的快充技术，同时兼容USB-PD自然就是谷歌的底线啦。

最后，咱们再来简单回顾一下时下主流的快充技术都有哪些吧。

简单来说，手机领域的快速充电技术大体可以分为两大类别：“低压＋大电流”，“高压＋低电流”。各个手机品牌的快充技术，都是基于这两个类别衍生而来。我们熟悉的高通QC（QuickCharge）、联发科PEP（PumpExpress Plus）、三星FastCharge和华为FCP（Fast Charger Protocol）都是“高压＋低电流”快充方案的代表。

而OPPO VOOC、一加手机3的DASH、华为Mate 9特色的SuperCharge，则是“低压＋大电流”的代表。

在充电功率相同的情况下，两种快充类别的充电速度差别不大，只是“低压＋大电流”可以在边充电边玩手机的情况下，依旧能保证充电速度。而“高压＋低电流”在边玩边充时，充电速度会有折扣。